Сун В. . Інфрачервоні детектори на основі HgMnTe : фізичні і технологічні проблеми

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002593

Облікова картка дисертації

0400U002593.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-09-2000

Спеціалізована вчена рада

Д. 76.05101

Анотація

Досліджено фотодіодні детектори для спектральної області 3-14 мкм, розроблені на основі Hg1-xMnxTe з р-n переходами, сформованими іонним травленням. З'ясовано роль дифузії, генерації-рекомбінації, тунелювання і лавинних процесів в формуванні електричних властивостей і виявленої здатності діодів. Спектри фоточутливості пояснюються із врахуванням генерації носіїв в n- і p-областях, діодної структури а також поверхневої рекомбінації.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах