Іщук Л. В. Екстремальні струми в напівпровідникових структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002703

Облікова картка дисертації

0400U002703.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-10-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Досліджено новий тип осциляцій струму, що виникає при протіканні струму екстремально великої густини в структурах "кремній на ізоляторі" і запропоновано механізм їх виникнення. Вони взаємопов'язані з осциляціми температури кристалічної гратки. Температура гратки змінювалась від 700 до 1300 К з частотою до 3 МГц. Вперше спостерігався зворотний амбіполярний дрейф електронно-діркових пар у кремнії. Досліджено необоротні зміни плівок легованого оловом оксиду індію при протіканні в них току великої густини. Сфера застосування - фундаментальна фізика, мікроелектроніка.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах