Бомк О. Й. Газова чутливість поверхнево - бар'єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію та сульфіду кадмію з надтонкими плівками титану та нікелю

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002899

Облікова картка дисертації

0400U002899.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-10-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Мета роботи - з'ясування можливостей використання поверхнево-бар'єрних структур з надтонкими плівками металу в якості перетворювачів сигналу від газового середовища та встановлення фізичних процесів, що обумовлюють його вплив на електрофізичні параметри. Методи дослідження - вольт-амперні, вольт-ємнісні характеристики, визначення питомого опору плівок металу, моделювання процесів адсорбції, атомно - силова мікроскопія. Досліджено чутливість поверхнево-бар'єрних структур на основі Si, GaAs та CdS з надтонкими плівками титану та нікелю до аміаку, вуглекислого газу, криптону, водного розчину аміаку і парів води; встановлено її основні механізми. Запропоновано фізичні методи аналізу впливу газового середовища на властивості гетерофазних поверхнево-бар'єрних структур. Сфера застосування - напівпровідникова електроніка.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах