Максимова Т. І. Модифікація структурних характеристик поверхні (001) кремнію в мікроелектронній технології

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002934

Облікова картка дисертації

0400U002934.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

26-10-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 41.052.06

Анотація

Методом молекулярної динаміки досліджено вплив температури формування поверхні і низькоенергетичної радіаційної дії на структурні характеристики поверхні (001) Si. Одержано нові дані щодо впливу температури формування поверхні на особливості релаксації поверхневих шарів. При високих температурах релаксації виникає квазірозупорядкована поверхнева фаза, що характеризується дефектними ділянками і обірваними зв'язками, які зумовлюють множинні поверхневі реакції, а також особливості формування границі кремній-діелектрик. Показана доцільність використання допорогової радіаційної обробки для стабілізації і відновлення поверхні (001) Si, одержання однорідних по структурі приповерхневих шарів. Виявлені оптимальні умови радіаційного опромінення

Читати повністю

Схожі дисертації

0421U103746

Шутилєва Ольга Вікторівна

Фазовий склад та магніторезистивні і магнітні властивості приладових структур на основі Ni і Со та Dy або Ві

0421U103438

Ополонін Олександр Дмитрович

Принципи характеризації матеріалів за ефективним атомним номером при радіографічному контролі

0521U101782

Цибрій Зіновія Федорівна

Фізико-технологічні основи розроблення HgCdTe-приймачів ІЧ та ТГц діапазонів і елементів блокування ІЧ випромінювання

0521U101665

Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна

Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ і ТГц діапазонах спектру

0421U102655

Єгоров Вадим Анатолійович

Підвищення метрологічних та експлуатаційних характеристик елементів та систем атомно-емісійного спектрального аналізу