Мамикін С. В. Внутрішній фотоефект в контакті метал- напівпровідник з мікрорельєфною межею поділу

Фоточутливі поверхнево-бар'єрні структури типу діодів Шоткі з мікрорельєфною межею поділу, на основі напівпровідникiв - GaAs та InP. Дослідити їх оптичні, фотоелектричні та електрофізичні властивості. Методи: спектральні та кутові залежностi фотоструму, вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики, вимірювання пропускання/відбивання поляризованого світла, атомно-силова мікроскопія, багатокутова еліпсометрія. Досліджено вплив підсилення електростатичного та електродинамічного поля, ефекту електропоглинання світла (Франца-Келдиша) на електрофізичні та фотоелектричні характеристики діодів Шоткі. З'ясовано вплив мікропрофілювання та пасиваційних обробок на рекомбінаційні характеристики меж поділу метал-напівпровідник, а також їх деградаційна стабільність. Запропоновано нову методику характеризації поляритонних фотодетекторів за допомогою поверхневого плазмового резонансу.Створено високочутливий сенсор компонент рідинних середовищ на основі резонансного явища - збудження поверхневих плазмових поляритонів на структурах метал-напівпровідник з мікрорельєфом типу дифракційної гратки.