Возний М. В. Вплив дефектної підсистеми на фотоелектричні властивості кремнію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U003023

Облікова картка дисертації

0400U003023.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-10-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертацію присвячено встановленню впливу дефектної підсистеми кремнію на його фотоелектричні властивості внаслідок опромінення гама-квантами, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Продемонстровано можливість отримання зразків з покращеною фотопровідністю за рахунок використання потужних джерел гама-випромінювання, керування густиною струму і енергією іонів при імплантації та дотримання певного температурного режиму і швидкості введення водню в кремній при гідрогенізації.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах