Трефілова Л. М. Роль домішкових іонів СО32- у процесах утворення центрів свічення і центрів забарвлення в кристалах йодиду цезію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U003280

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-10-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослідження: чисті та леговані кристали CsI. Мета дослідження: коплексне дослідження ролі іонів CO32- у радіаційно-стимульованих процесах в кристалах CsI, CsI(Na), CsI(T?). Методи дослідження та апаратура: оптична спектроскопія, сцинтиляційна спектрометрія; спектрофотометри, монохроматор, аналізатор. Теоретичні та практичні результати, новітність: в кристалах CsI іони CO32- створюють центри свічення. Виявлено эфективний канал радіаційного дефектоутворення. Встановлено, що наявність іонів Na+ в кристалах CsI і CsI(T?) призводить до формування комплексів іонів натрію і карбонату, внаслідок чого пригнічується ефективний канал утворення стабільних електронних центрів забарвлення.. Результати запатентовані і використані при розробці технології вирощування нового сцинтилятора CsI(CO3) та радіаційно-стійких кристалів CsI(T?). Сфера використання радіаційна фізика, матеріалознавство, спектроскопія твердого тіла.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах