Таран Є. П. Математична модель та механізм впливу імпульсних електромагнітних полів на мікроструктури

Дисертаційна робота присвячена дослідженню процесів у металодіелектричних мікроструктурах, розташованих у кристалі інтегральних мікросхем, при впливі імпульсних електромагнітних полів. При побудові математичної моделі та виявленні механізму впливу імпульсних електромагнітних полів на мікроструктури використовувався радіофізичний підхід до задачі впливу імпульсних електромагнітних полів на інтегральні мікросхеми. Експериментальні дослідження дозволили виявити функціонально значущі мікроструктурні елементи при впливі імпульсних електромагнітних полів на інтегральні мікросхеми у хвилеводі. Установлено вплив поляризаційного фактору на характер розвитку деградаційних процесів у тонких металевих плівках. Одержано розподілення електромагнітних полів поблизу інтегральних мікросхем. Виявлено причини, характер та динаміку розвитку локальних деградаційних процесів у металевих плівках при впливі імпульсних електромагнітних полів.