Пальок В. Ю. Процеси формування рельєфів зображень при оптичному записі в аморфних шаруватих структурах на основі селену

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U003035

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-09-2001

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Фотоіндуковані зміни в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках типу As2S3, a-Se, AsSe. Метою є вияснення механізму формування поверхневого рельєфу при оптичному, голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників та аморфного селену. Методи: малокутова рентгенівська дифракція, атомно-силова та скануюча електронна мікроскопія, моделювання. Результати: вияснено причини та розроблено модель утворення поверхневого рельефу при оптичному записі в багатошарових структурах a-Se/As2S3 та плівках a-Se. Впровадження - планується. Область застосування - середовища для голографічного запису.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах