Білевич Є. О. Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях HNO3 - HНal - комплексоутворювач для приладів електронної техніки

Дисертація присвячена дослідженню взаємодії CdTe і твердих розчинів Cd1-xZnxTe та CdxHg1-xTe з розчинами систем HNO3 - HHal - комплексоутворювач і розробці на основі отриманих експериментальних результатів травильних композицій та режимів обробки поверхні вказаних напівпровідників. З використанням математичного планування експерименту побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) вказаних напівпровідників в досліджуваних системах розчинів при використанні ацетатної, лактатної, тартратної та цитратної кислот як комплексоутворювача та хлоридної, бромидної і йодидної як галогенідних кислот. Досліджено кінетичні закономірності процесу розчинення та встановлено межі існування областей поліруючих і неполіруючих розчинів в кожній з досліджуваних систем. Встановлено, що введення до HNO3 різних галогенідних кислот або комплексоутворювачів призводить до зміни як швидкості травлення, так і стану оброблюваної поверхні. На основі аналізу методом ЕЗМА та РФС поверхневих плівок, що утворюються після кислотного травлення, показано, що вони неоднорідні і збагачені в основному оксидами телуру, а шорсткість поверхні змінюється в межах від 0,2 до 0,1 мкм. Виявлено вплив хімічної обробки поверхні на електрофізичні параметри структур Au - p-CdTe. У досліджених системах оптимізовано склади поліруючих травильних композицій і розроблено режими та методи підготовки полірованих поверхонь телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі, які пройшли випробування в заводських умовах.