Стребежев В. М. Фоточутливі елементи і тонкоплівкові інтерференційні фільтри на базі CdSb та In4Se3

Дисертація присвячена виготовленню та дослідженню фоточутливих елементів на основі різним чином легованих тонких плівок і шарів СdSb і In4Se3, а також інтерференційних тонкоплівкових багатошарових оптичних ІЧ-фільтрів на підкладках з цих матеріалів. Розроблена методика отримання стехіометричних плівок СdSb напиленням із сконструйованих капілярних випаровувачів. Досліджені закономірності розподілу плівки по товщині для джерела - капілярної трубки, вивчена структура, склад і електрофізичні властивості отриманих тонких плівок СdSb. Методом рідинної епітаксії вирощені гомоепітаксійні шари СdSb, In4Se3 і гетероструктури CdxZn1-xSb - СdSb и In4Se3 - In4Тe3. Визначені умови керування ростом і легуванням шарів СdSb при переважанні дифузійного механізму масопереносу в розчині-розплаві. Досліджені структура і фотоелектричні властивості отриманих гомо- і гетеропереходів, фоточутливих в ближній ІЧ-області. Проведені розрахунки і оптимізація тонкоплівкових багатошарових інтерференційних фільтрів для нанесення наСdSb і In4Se3. Отримані одно- і двоканальні інтерференційно-абсорбційні фільтри на цих матеріалах, досліджені їх оптичні характеристики і механічна стабільність в інтервалі температур 77 - 373 К.