Булавенко С. Ю. Дослідження взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) методом скануючої тунельної мікроскопії

Дисертація присвячена вивченню взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) на атомному рівні з допомогою скануючої тунельної мікроскопії. Побудовано детальну схему фазових змін системи Bi/Si(111)7ґ7 та досліджено структуру кожної з фаз з атомною роздільною здатністю. Розроблено нову методику із застосуванням Bi/W вістер в скануючому тунельному мікроскопові для дослідження раніше недоступних атомів в кутових ямах реконструкції Si(111)7ґ7. Досліджено початкову стадію адсорбції атомарного водню та його перерозподіл на поверхні при прогріві, включаючи його десорбцію з атомів в кутових ямах. Всупереч теоретичним передбаченням, виявилися, що атоми в кутових ямах вдвічі менше активні, ніж адатоми та залишкові атоми. Вивчено коадсорбцію вісмуту та водню на поверхні Si(111)7ґ7. Вперше знайдено існування вісмутових димерів в А-позиціях при початкових стадіях адсорбції вісмуту на поверхні Si(100)2ґ1 при кімнатній температурі. Досліджено рух А-, Б-димерів та їх взаємне перетворення. Знайдено існування нового, антифазного, типу вісмутових нанониток на поверхні Si(100)2ґ1. Вивчено природу дефектів в нанонитках.