Горячко А. М. Сканувальна тунельна мікроскопія спонтанної наноструктуризації металічних та напівпровідникових поверхонь.

Методами сканувальної тунельної мікроскопії, електронної Оже спектроскопії, Х-променевої фотоелектронної спектроскопії, мікроскопії електронів низьких енергій, дифракції повільних електронів у надвисокому вакуумі досліджено явище спонтанної наноструктуризації поверхонь Si(001), Ge(111), SiC(0001) та Ru(0001) внаслідок взаємодії із адсорбатами: Bi, Cu, Au, Pd, C; 2D-матеріалами: С(0001), BN(0001), (BN)xCy; молекулами газів: O2, C2H2, HCl. Створено нову систему нанопозиціонування типу хрестовиноподібний сканер для сканувальної зондової мікроскопії. Експериментально реалізовано спонтанно наноструктуровані поверхні: Si(001)-с(8×8), Ge(111)-с(2×8) з 1D ланцюжками комірок (2×2) та с(2×4) або 0D груповими вакансіями, Ві/Ge(111) в режимах 0D, 2D та 3D наноструктуризації, графен/Ge(111)-5,5√3×5,5√3, графен/⁠SiC(0001), BN/Ru(0001)-12×12, Au/BN/Ru(0001), Pd/BN/Ru(0001), (BN)xCy/Ru(0001), Au/Ru(0001), Au/графен/Ru(0001), RuO2(110)/Ru(0001). Для експериментально створених наноструктур побудовано детальні атомарні моделі та ідентифіковано рушійні сили, що спричиняють їхнє виникнення. Для систем класу (BN)xCy/Ru(0001), одержані експериментальні результати підтверджено проведеними розрахунками оптимізованої кристалічної структури з перших принципів.