Кавецький Т. С. Композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в халькогенідних склоподібних напівпровідниках потрійної системи Ge-Sb-S

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U002364

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-06-2002

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН). Дослідити композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в ХСН потрійної системи Ge-Sb-S та відшукати адекватні аналітичні співвідношення для їх інтерпретації. Методами дослідження є методи оптичної спектрофотометрії та метод вимірювання мікротвердості по Віккерсу. Встановлено ефект радіаційно-індукованого потемніння, який містить динамічну та статичну складові, є максимальним в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Концепція вільного об'єму є найбільш адекватною для інтерпретації спостережуваних явищ. Сферою використання є ІЧ техніка, оптоелектроніка.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах