Мальованик М. М. Вплив фото- і термостимульованих перетворень на оптичні та електрофізичні властивості аморфних багатошарових структур

Об'єкт дослідження: аморфні багатошарові структури (БС) на основі халькогенідних напівпровідників з систем As-S(Se,Te) та a-Si, a-Ge. Мета дослідження: вивчити зміну оптичних та електрофізичних властивостей багатошарових структур за рахунок фото- і термодифузійних процесів. Методи дослідження: електронна та атомно-силова мікроскопія, рентгенівська дифракція, спектроскопія комбінаційного розсіювання, вимірювання оптичних і електрофізичних параметрів та характеристик амплітудного оптичного запису. Наукова новизна результатів: показано можливість ефективних фото- і термостимульованих структурних перетворень за рахунок взаємодифузії в модульованих по складу БС на основі халькогенідних напівпровідників з систем As-S(Se,Te) та a-Si i a-Ge з періодами L=(4-50) нм. Встановлена кореляція результатів досліджень оптичних, електрофізичних параметрів та структурних даних при дифузійних процесах в БС. Виділені три можливі компоненти дії лазерного опромінення на багатошарові наноструктури з халькогенідних стекол. Показані шляхи оптимізації БС як середовищ для амплітудного оптично го та електрофотографічного запису інформації. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: амплітудний оптичний та електрофотографічний запис інформації.