Стецьків О. Т. Оптичні і люмінесцентні властивості сполук на базі вольфраму і вісмуту.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U002804

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-06-2002

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Об'єкт дослідження: Тонкі плівки і кераміки на основі PbWO4, Bi2WO6, Sc2WO6 і Y2WO6. Мета дослідження: Eкспериментальне дослідження оптичних властивостей люмінесцентних систем на основі PbWO4, Bi2WO6, Sc2WO6 і Y2WO6 та встановлення їх зв'язку з кристалохімічними властивостями. Методи дослідження: Oптичні, спектрофотометричні, термоактиваційні, люмінесцентні. Теоретичні і практичні результати, новизна: Досліджено оптичні та люмінесцентні властивості сполук на основі вольфраматів свинцю та вісмуту. Показано можливість застосування даних сполук для реєстрації іонізуючого випромінювання. Ступінь впровадження: Результати використані у Львівському національному університеті ім. Івана Франка при спектроскопічних дослідженнях нових кисневмісних матеріалів. Сфера впровадження: сцинтиляційна техніка, дозиметрія.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах