Меріуц А. В. Роль нерівноважних носіїв заряду в лінійних явищах переносу в обмежених напівпровідниках

Об'єктом дослідження - нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, лінійні по зовнішньому впливу, мета дослідження - побудова теорії лінійних явищ переносу, яка враховує нерівноважні носії заряду, що з'являються при протіканні струму через обмежений напівпровідник. Методи дослідження: система лінійних диференційних рівнянь, які описують процеси переносу в напівпровідниках в лінійному наближенні, та нові граничні умови, які враховують як рекомбінаційні процеси, так і протікання струму через контакт. Теоретичні та практичні результати, новизна: Проведено послідовний опис лінійних явищ переносу i встановлено, що істотну роль у них можуть відігравати процеси рекомбінації нерiвноважних носіїв. Вперше сформульовані повні граничні умови до системи рівнянь неперервності і Пуассона, які враховують рекомбінацію на контакті та протікання струму через контакт. Показано, що при наявності градієнту температури, у лінеарізованому співвідношенні для рекомбінації з'являється доданок, який пов'язаний зі зміною темпутеплової генерації, та пропорційний градієнту температури і не залежить від концентрації нерiвноважних носіїв. Сфера використання: фізика напівпровідників, напівпровідникове приладобудування.