Челюбеєв В. М. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U003850

Облікова картка дисертації

0402U003850.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

16-12-2002

Спеціалізована вчена рада

Д 26.002.08

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Інститут енергозбереження та енергоменеджменту

Анотація

Досліджено вплив неоднорідностей "острівцевої" структури омічних контактів на основі АuGe до (100) n-GaAs та обумовлених крайовими ефектами в меза-структурах на електричні характеристики діодів Ганна n-n+ б-n++ типу. Виявлено двохмірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Описано крайові ефекти в меза-структурах діодів Ганна, які проявлюються при пробої діодів та у впливі площі меза-структури (S) на ефективне значення напруженості порогового поля Епор. Отримано математичний вираз залежності Епор(S).

Читати повністю

Файли

2-6-014-finish.doc

ЧЕЛЮБЕЕВ_disser.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах