Булатецький В. В. Вплив структурних дефектів і легуючих домішок (Cu, Li) на оптичні і електричні властивості полікристалічних і монокристалічних зразків ZnSe і CdS.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U003939

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-12-2002

Спеціалізована вчена рада

К.32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню впливу технологічних умов одержання, легування різними концентраціями активних домішок (літієм і міддю) на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік, виготовлених на основі ZnSe, а також дослідження впливу структурних пошкоджень радіаційного характеру на параметри оптично активних центрів в спеціально не-легованих і легованих Cu монокристалах CdS. Запропоновані моделі, які дозволяють пояснити природу деяких центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на параметри центрів випромінювання структурних дефектів і легуючих домішок літію і міді.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах