Коваленко Н. О. Формування оксидних плівок на поверхні монокристалів напівпровідникових сполук АIIBVI та їх твердих розчинів

Об'єкт дослідження: оксидні плівки, що утворені на поверхні монокристалів сполук AIIBVI при різних умовах отримання та монокристали Zn1-хMgхSe з різною концентрацією домішки Mg. Мета дослідження: вивчення процесів утворення оксидних шарів на поверхні монокристалічних сполук AIIBVI, визначення фізичних (оптичних, електричних, механічних) властивостей утворених оксидних шарів в залежності від умов їх отримання, та з'ясування функціонально важливих особливостей фізичних властивостей твердих розчинів Zn1-xMgxSe в інтервалі концентрацій Mg 0,03( x (0,6. Методи дослідження та апаратура: ІЧ-мікроскопія, рентгеноструктурний та рентгенофазовий аналіз, електронна мікроскопія, мікроіндентування, визначення фоточутливості, електропровідності та оригінальний метод дослідження кінетики утворення оксидних шарів. Теоретичні та практичні результати, новітність: проведено термодинамічний аналіз реакцій окислення сполук AIIBVI в атмосфері озону; встановлено один з механізмів прискорення процесу утворення оксидної плівкипри фототермічному окисленні; показано можливість виготовлення МДН-структур на основі гетеропереходу ZnSe-ZnO; виявлено особливості механічних та оптичних властивостей кристалів твердого розчину Zn1-xMgxSe при концентраціях магнию ~ 6ат.%. Галузь використання: оптоелектроніка, силова оптика середнього ІЧ діапазону