Зуєв С. О. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів

Дисертаційна робота присвячена дослідженню фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, зокрема, у польових транзисторах із затвором Шоттки. У роботі розроблена математична модель, яка включає чисельний розв'язок методом великих частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з відповідними граничними умовами. Для більш точного опису процесів в приконтактних областях вона доповнена моделями контактів метал-напівпровідник (омічним та бар'єром Шоттки). Проведено апробацію моделі, показана адекватність опису процесів, що відбуваються в приладах субмікронних розмірів. За допомогою створеної моделі проведено цикл чисельних експериментів, присвячених дослідженням динамічних характеристик GaAs та впливу різних режимних та конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шоттки.