Грипа О. А. Енергетична структура дефектів і фотоелектричні властивості легованих кристалів групи А2В6

Проводились дослідження кристалів ZnTe, CdTe та CdS (вирощені методом Бріджмена), легованих домішками Cu, Cr, V з метою встановлення механізму входження 3d-йонів у ніпівпровідникові матриці групи А2В6, симетрії домішкових центрів і положення відповідних домішкових рівнів в забороненій зоні кристалів. Для дослідження використовувались комплексні низькотемпературні вимірювання спектрів поглинання, фотопровідності та фотогальванічного струму, проведені за допомогою експериментальної установки, змонтованої на базі монохроматора МДР-23 та ЕОМ. Встановлено процеси йонізації домішкових йонів. Визначено положення домішкових рівнів різних зарядових станів в досліджуваних кристалах, симетрію і орієнтацію анізотропних центрів на основі неізозарядних йонів. Визначено енергію кулонівського відштовхування домішкових йонів міді в кристалах телуриду кадмію і цинку. Результати дисертаційної роботи використовуються у навчальному процесі кафедри експериментальної фізики Львівського національного університету імені ІванаФранка і для відпрацювання технології вирощування кристалів. Сфера впровадження -фоторефрактивне матеріалознавство.