Стриганюк Г. Б. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U000899

Облікова картка дисертації

0403U000899.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-02-2003

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Проводились дослідження чистих та активованих церієм галоїдних кристалів з власною та домішковою остовно-валентною люмінесценцією з метою встановлення природи механізмів випромінювального розпаду високоенергетичних електронних збуджень в широкозонних діелектричних кристалах. Використовувались методи люмінесцентної спектроскопії для дослідження переходів за участю остовних дірок та міжконфігураційних переходів в іоні церію. Виявлено взаємодію 5pCs-остовних дірок з поверхневими дефектами та електронними станами домішки. Розроблено моделі механізмів збудження люмінесценції іонів церію в галоїдних сполуках. Запропоновано Li-вмісні матеріали для реєстрації нейтронів. Результати використовуються в навчальному процесі, а також при пошуку та розробці нових швидкодіючих сцинтиляторів. Сфера впровадження - люмінесцентне матеріалознавство.

Читати повністю

Файли

Aref_Stryganyuk.pdf

Thesys_Stryganyuk.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах