Кусяк Н. В. "Взаємодія InAs, InSb та GaAs з бромвиділяючими травильними композиціями"

Дисертація присвячена дослідженню фізико-хімічної взаємодії нелегованого та легованого оловом InAs, InSb та GaAs з бромвиділяючими розчинами систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7) і розробці на основі отриманих експериментальних результатів травильних композицій та режимів обробки поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів. З використанням математичного планування експерименту побудовано 36 поверхонь однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) для розчинення InAs та InSb в розчинах одинадцяти потрійних систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7) - розчинник та легованого оловом InAs і GaAs в розчинах семи потрійних систем HBr - HNO3(H2O2) - розчинник. Встановлено вплив окисника і розчинника на швидкість хімічного розчинення, поліруючі властивості розчинів та якість полірованої поверхні InAs, InAs(Sn), InSb та GaAs. Показано, що легування InAs оловом сильно впливає як на швидкість хімічного травлення, так і на концентраційні межі поліруючих розчинів в кожній з досліджених систем. На основі аналізу температурних залежностей швидкості взаємодії досліджуваних напівпровідникових матеріалів з розчинами систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7) - розчинник виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення. У досліджених системах оптимізовано склади поліруючих травильних композицій і розроблено режими та методи підготовки полірованих поверхонь InAs, InAs(Sn), InSb та GaAs.