Юрченко Г. В. Широкозонні напівпровідникові шари ZnO:Al, ITO та CdS в плівкових фотоелектрично активних гетеросистемах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U001594

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

17-04-2003

Спеціалізована вчена рада

К 55.051.02

Анотація

Об'єкт - фізичні процеси впливу технологічних рішень широкозонних напівпровідникових шарів на ефективність фотоелектрично активних плівкових багатошарових гетеро- систем; мета - розроблення фізичних основ матеріалознавчої оптимізації технології одержання широкозонних напівпровід- никових шарів для плівкових гетеросистем; методи - фізич- ні та структурні методи дослідження; новизна - вперше за- пропоновані фізичні роль та механізми деградації широко- зонних шарів ZnO:Al, ITO та CdS в багатошарових гетеро- системах; результати - підвищити ефективність плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячного випромінюван- ня; галузь - геліоенергетика

Файли

Схожі дисертації