Полигач Є. О. Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U001717

Облікова картка дисертації

0403U001717.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-04-2003

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Поведінка домішок рідкісноземельних елементів у кристалах багатокомпонентних напівпровідників та їх вплив на властивості останніх. Дослідити фактори, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах Pb1-xSnxTe і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць. Електронно-парамагнітний резонанс, мессбауерівська спектроскопія. Вперше експериментально виявлено прямий зв'язок між існуванням зарядового стану Gd3+ домішки гадолінію у кристалах Pb1-xSnxTe<Gd> та їх системою власних дефектів; зниження симетрії локального оточення іонів домішки Gd, які займають вузли металічної підґратки нижче кубічної. Встановлено, що використання легуючої домішки Gd при вирощуванні кристалів Pb1-xSnxTe<Gd> із розплаву приводить до зменшення сумарної концентрації точкових дефектів. Сфера впровадження - напівпровідникове матеріалознавство.

Читати повністю

Файли

Aref.doc

Aref.doc

Dissertation_Pol.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах