Оксюта В. А. Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі
English versionДисертація на здобуття ступеня кандидата наук
Державний реєстраційний номер
0403U001761
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
23-05-2003
Спеціалізована вчена рада
К.32.051.01
Анотація
Файли
AUTOREF--aref.doc
DISER--01.doc
DISER--02.doc
DISER--03.doc
DISER--04.doc
DISER--05.doc
DISER--06.doc
DISER--06.doc
DISER--07.doc
DISER--08.doc
DISER--09.doc
DISER--10.doc
DISER--Readme.txt
Схожі дисертації
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0521U102010
Борковська Людмила Володимирівна
Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5
0521U101814
Коротєєв Вадим Вячеславович
Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах