Оксюта В. А. Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu i In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U001761

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-05-2003

Спеціалізована вчена рада

К.32.051.01

Анотація

Встановлено природу введених електронною радіацією (з Е"1,2 МеВ) локальних центрів домішково-дефектного складу в напівпровідниках CdS, легованих домішками In та Cu, запропоновано моделі, що дозволяють пояснити деякі електрично і оптично активні центри дефектного походження в CdS:In та механізми утворення і взаємодії радіаційних дефектів, введених електронною радіацією, з легуючими домішками індію і міді. Досліджено електричні, фотоелектричні і термоелектричні властивостей маловивчених твердих розчинів систем CuInS2-CdS і CuGaS2-CdS в залежності від відсоткового вмісту компонентів, а також гальваномагнітні, оптичні, електричні, фотоелектричні і термоелектричні властивості монокристалів Cu2CdGeS4 і Cu2CdSnS4 та вплив на їх параметри способів отримання і термо-хімічної обробки.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах