Ніцук Ю. А. Вплив власних і домішкових дефектів на електрофізичні та оптичні властивості монокристалів ZnSe:In, отриманих методом вільного росту.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U002655

Облікова картка дисертації

0403U002655.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-06-2003

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Об'єкт - процеси електропровідності, оптичного поглинання, люмінесценції і фотопровідності в монокристалах ZnSe, легованих індієм в процесі їх вирощування.; мета - з'ясування природи власних і домішкових центрів, що визначають фізичні властивості монокристалів ZnSe:In, отриманих методом вільного росту; методи - дослідження ефекту Холу; спектрів фотолюмінесценції, оптичного поглинання і фотопровідності; новизна - визначено природу центрів, які визначають фізичні властивості монокристалів ZnSe:In, отриманих методом вільного росту; вперше встановлено утворення міжвузловинних донорних центрів індію в n-ZnSe:In і акцепторних центрів у кристалах p-ZnSe:In; результати-одержано високопро-відні кристали ZnSe:In n- i р-типу провідності, які володіють ефективною блакитною люмінесценцією; галузь-фізика напів-провідників і діелектриків

Читати повністю

Файли

Автореферат укрмова.doc

Диссертация Ницук Ю..doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах