Кривулькін І. М. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю"

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U000213

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

03-12-2003

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослідження - напівпровідникові тверді розчини на основі телуриду свинцю у системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe. Мета дослідження - встановлення характеру залежностей механічних, гальваномагнітних та теплових властивостей від складу та температури твердих розчинів на основі PbTe в напівпровідникових системах PbTe-MnTe і PbTe-GeTe. Методи дослідження: мікроструктурний і рентгенодифракційний аналізи, вимірювання мікротвердості, електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта термо - е.р.с., коефіцієнта теплового розширення, теплопровідності та теплоємності. Теоретичні та практичні результати, новизна: проведено комплексне дослідження фізичних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури. Встановлено, що в області концентрацій MnTe та GeTe ~ 0,75 - 2 мол.% на ізотермах фізичних властивостей спостерігаються аномалії. Виявлені аномалії пов'язуються з критичними явищами, що супроводжують перехід до сильного легування, який може розглядатися як концентраційний фазовий перехід. В наближенні перколяційної теорії розроблена модель процесів, які визначають немонотонний характер концентраційних залежностей властивостей. На залежностях теплоємності від складу твердих розчинів виявлені чітко виражені піки при 0,75 - 2 мол.% MnTe і GeTe, які підтверджують наявність концентраційних фазових переходів. Зроблено припущення, що перехід до домішкового континууму може супроводжуватися процесами самоорганізації в домішковій підсистемі кристала. Сфера використання: фізика і матеріалознавство потрійних і більш складних напівпровідникових фаз, фізика напівпровідників, фізика дефектів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах