Ховерко Ю. М. Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U000308

Облікова картка дисертації

0404U000308.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

24-12-2003

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.12

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Об'єкт-cтруктури типу кремній на ізоляторі з рекристалізованим полікремнійом та сенсори на їх основі. Мета-створення КНІ-структур зі заданими властивостями полікремнію та розроблення мікроелектронних сенсорів для застосування при різних температурах. Новизна-встановлено оптимальні рівні легування полікремнію бором; удосконалено лазерну рекристалізацію та анізотропне травлення; реалізовано технологію створення двофункційних сенсорів. Сфера- електронна галузь.

Читати повністю

Файли

all.doc

all.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах