Артеменко О. С. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників А(((ВV.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U000769

Облікова картка дисертації

0404U000769.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-02-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Об'єкт - процеси, які протікають на поверхні, при формуванні чутливості до газового середовища в p-n структурах на основі напівпровідників А(((ВV; мета - встановлення механізмів впливу газової атмосфери на електричні, фотоелектричні властивості та морфологію поверхні в та p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP; методи - комплексні дослідження стаціонарних електричних та фотоелектричних характеристик, хімічна обробка поверхні, лазерна еліпсометрія, атомно-силова мікроскопія в інтервалі температур 300-400К; новизна - встановлено, що в p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP, поміщених в пари аміаку, виникає додатковий поверхневий струм, що пояснюються утворенням провідного поверхневого каналу; встановлено, в p-n переходах на основі GaAs існування "повільних" поверхневих рекомбінаційних центрів з висотою потенціального бар'єра для електронів =0,48(0,54еВ; результати досліджень можна використати для створення сенсора парів аміаку; галузь-фізика напівпровідників і діелектриків.

Читати повністю

Файли

aref.Artemenko O.S.doc

dis.Artemenko O.S--dis1.Титул.doc

dis.Artemenko O.S--dis10.Лит.doc

dis.Artemenko O.S--dis11.Додаток.doc

dis.Artemenko O.S--dis2.ЗМІСТ.doc

dis.Artemenko O.S--dis3.Вступ.doc

dis.Artemenko O.S--dis4.РОЗД 1.doc

dis.Artemenko O.S--dis5.РОЗД 2.doc

dis.Artemenko O.S--dis6.РОЗД 3.doc

dis.Artemenko O.S--dis7.РОЗД 4.doc

dis.Artemenko O.S--dis8.РОЗД 5.doc

dis.Artemenko O.S--dis9.осн висн .doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах