Ничипорук Г. П. Фазові рівноваги, кристалічна структура і електричні властивості сполук в системах {La,Ce}-In-{Al,Si,Ge}

На основі рентгенівського фазового, рентгеноструктурного та, в окремих випадках, мікроструктурного аналізів побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану систем {La,Ce}-In-{Al,Si,Ge} при 870 К у повному концентраційному інтервалі. У цих та споріднених системах підтверджено існування трьох і вперше виявлено 25 нових тернарних сполук, для 24 з яких встановлені кристалічні структури. Отримані сполуки кристалізуються у шести структурних типах і утворюють чотири ряди ізоструктурних сполук. Встановлено, що у досліджених системах при переході від Al до Si і до Ge ускладнюється характер взаємодії компонентів. Проведено порівняльний аналіз цих систем із дослідженими раніше системами за участю РЗМ ітрієвої підгрупи, а також із системами РЗМ-перехідний метал-In. Встановлено види спорідненості нових тернарних індидів із відомими структурними типами. Досліджені температурні залежності питомого електроопору сполук R2Ge2In та R3GeIn4 (R = La, Ce, Pr, Nd) вказують на те, що вони є провідниками металічного типу, а результати помірів залежності магнітної сприйнятливості від температури дозволяють класифікувати їх слабкими пармагнетиками Паулі чи магнетиками Кюрі- Вейсівського типу в межах 50 250 К.