Возний О. В. Електронний спектр та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів на основі нітридів ІІІ групи

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U001086

Облікова картка дисертації

0404U001086.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-02-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Методом модельного псевдопотенціалу розраховано електронні спектри твердих розчинів Ga(1-x)Al(x)N, Ga(1-x)In(x)N та In(1-x)Al(x)N. В наближенні 32-атомних суперкомірок досліджено вплив сплавних ефектів на композиційні залежності ширини забороненої зони. Проведено аналіз походження піків уявної частини діелектричної проникності бінарних сполук GaN, AlN та InN. Проведено порівняння різних підходів визначення йонності та досліджено перебудову хімічного зв'язку у вищевказаних твердих розчинах.

Читати повністю

Файли

aref.doc

Возний.doc

Возний.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах