Маслянчук О. Л. Механізми переносу заряду і детектування X- і g-випромінювання в монокристалах та діодах на основі CdTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U004651

Облікова картка дисертації

0404U004651.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-11-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджено механізми переносу заряду та ефективність детектування X- і g-випромінювання в телуриді кадмію (CdTе), твердих розчинах Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe, Cd1-xHgxTe (x=0.04-0.1) і діодах Шотткі на його основі. Розроблено нову методику дослідження процесу збирання фотогенерованих носіїв заряду. Розглянуто особливості переносу заряду, розподілу електричного поля, роль бар'єрної та нейтральної областей в детекторі з діодом Шотткі на основі напівізолюючого CdTе.

Читати повністю

Файли

AREF.doc

Розділ 2.pdf

Розділ 3.pdf

Розділ 4 та Висновки.pdf

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ & Додаток 1.pdf

Список умовних позначень1.pdf

Титульний Зміст Вступ Розділ 1.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах