Шпортько К. В. Поверхневі поляритони в дифосфідах ZnSiP2, ZnP2, CdP2

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U004802

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

01-12-2004

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню впливу анізотропії фононної та плазмової підсистем на спектри ІЧ відбивання, властивості поверхневих поляритонів в монокристалах дифосфідів ZnSiP2, ZnP2, CdP2. Запропоновано математичну модель діелектричної функції цих монокристалів в ІЧ діапазоні. Визначено частотні інтервали існування, дисперсійні залежності поверхневих поляритонів першого та другого типів. Досліджено сингулярні поверхневі поляритони в ZnSiP2.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах