Сунцов О. М. Дефектна структура, явища переносу,люмінесценція і радіаційні властивостінестехіометричних гетеросистем ? - SiO2-x <Oi, (O2)і> і Znx Cd1-x S<Os>

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U000338

Облікова картка дисертації

0405U000338.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-12-2004

Спеціалізована вчена рада

К 17.051.04

Анотація

Об'єкт досліджень: механізм утворення дефектів і їх властивості уі .Мета:експериментальне дослідження механізму утворення дефектів, ,іїхнього впливу на характеристики монокристалів. Методи: вимірювання електропровідності, термо-е.р.с. і люмінесценції. Основні результати: виявлено співіснування дефектів вакансійного і міжвузловинного типів у (,,) і дефектів , у.Розглянуто механізми виникнення шести смуг люмінесценції < >і4смуг<,,Al >

Читати повністю

Файли

aref.doc

дисертация.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах