Юркович Н. В. Моделювання та фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібних халькогенідів германія

Дисертаційна робота присвячена моделюванню формування тонкоплівкових неоднорідних структур на основі склоподібних халькогенідів германія з модифікаторами Al,Bi,Pb,Te, дослідженню їх фізичних властивостей та властивостей стекол (GeS(Se)2)1-xTex. Формування тонкоплівкових структур на основі склоподібного Ge2S3 з модифікаторами Al,Bi,Pb,Te описано системою нелінійних диференціальних рівнянь. Проведено дослідження фізичних властивостей тонкоплівкових структур <Ge2S3:X>(X-Al,Bi,Pb,Te), визначено їх оптичні параметри еліпсометричним і спектрофотометричним методами. Досліджено фізичні властивості модифікованих об'ємних структур з Те при зміні механізму входження модифікатора в матриці GeS2, GeSe2. Із збільшенням концентрації Те максимуми у спектрах збудження фотолюмінесценції зсуваються в низькоенергетичну область спектру. В електронно-дефектній системі проявляються зміни фізичних властивостей об'ємних і тонкоплівкових структур, що є наслідком різних механізмів входження модифікатора в некристалічні матриці та основою керованої зміни параметрів функціональних елементів для мікро-і оптоелектроніки.