Корольов О. М. Шуми в підсилювачах з MESFET- та HEMT-структурами і методи їх зниження

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U000840

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем

11-02-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 64.051.02

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Анотація

Об’єкт – шуми в польових транзисторах, включно гетероструктурні,і підсилювачах на їх основі; мета – визначення граничних шумових характеристик надвисокочастотних транзисторів, умов і способів їх реалізації в підсилювачах дециметрового діапазону;методи - комп'ютерне моделювання за феноменологічним підходом, експериментальні методи - рефлектометрія, Q-метрія, шумометрія за методом двох температур. Результати та наукова новизна - вперше в експерименті шумову температуру широкосмугового (1-2 ГГц)підсилювача знижено до 10 К без застосування кріогенного охолодження, виявлено новий механізм впливу на шум-фактор - приховане розугодження. Сфера використання: надчутливі приймачі систем радіоастрономії, зв'язку, радіолокації.

Файли

Схожі дисертації