Захарчук Д. А. Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-Si

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U001195

Облікова картка дисертації

0405U001195.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-03-2005

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Досліджено вплив шарових періодичних неоднорідностей концентрації легуючої домішки на анізотропію електрофізичних властивостей в монокристалах n-Ge та n-Si при різних дозах гама-опромінення та інтенсивності світла. Розраховано деформаційну зміну енергетичної щілини в n-Si між глибоким рівнем і дном с-зони в широкому інтервалі механічних напружень для [110] та [111]. Визначено температурну залежність положення рівня Фермі в n- та p-Ge з глибокими енергетичними рівнями.

Читати повністю

Файли

AREF.doc

disertac.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах