Лашкевич І. М. Температурні хвилі в ізотропних однорідних і кусково-однорідних напівпровідниках і діелектриках при об'ємному поглинанні гармонійно модульованого світла

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U001425

Облікова картка дисертації

0405U001425.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-03-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Об'єкт: масивні та тонкоплівкові однорідні напівпровідники і діелектрики, а також двошарові структури. Мета полягає у побудові теорії нестаціонарної термодифузії у напівпровідниках з енергетично нерівноважними носіями і діелектриках, і в кусково-однорідних двошарових структурах. Методи грунтуються на аналітичному розв'язуванні системи рівнянь балансу енергії для електронів і фононів з об'ємними джерелами тепла і взаємним енергообміном. Результат: побудовано теорію електронних і фононних температурних хвиль, які виникають внаслідок об'ємного поглинання гармонійно модульованого світла у геометрично обмежених однорідних і кусково-однорідних напівпровідниках і діелектриках

Читати повністю

Файли

aref.pdf

dis.doc

dis.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах