Ульяницький К. С. Вплив технологічних умов отримання на досконалість кристалічної структури і фізичні властивості CdTe і твердих розчинів CdZnTe і CdMnTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U001561

Облікова картка дисертації

0405U001561.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-03-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджено результати оптимізації технології отримання кристалів CdTe, CdZnTe, CdMnTe. Встановлена стабілізуюча роль домішок Ge, Sn, Pb, Mn, Co у гратці CdTe. Виявлена компенсуюча дія домішок IV групи в гратці CdTe і CdZnTe, яка не залежить від типу і концентрації фонових домішок. Вперше виявлено нестабільність електрофізичних параметрів у кристалах CdTe:Cl і CdMnTe. На високоякісних монокристалах CdMnTe вперше спостерігався гігантський ефект Фарадея.

Читати повністю

Файли

дисертація_вилучена.txt

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах