Стовповий М. О. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs.

Дисертація присвячена розробці та дослідженню термостійких омічних і бар'єрних контактів для НВЧ приладів. У роботі показано, що системи металізації Au-AuGe та Au-Ti для омічних і бар'єрних контактів відповідно, які широко застосовуються в мікроелектроніці, є термостійкими лише до 350 ?С, що пов'язано з дифузійними процесами та міжшаровими взаємодіями в контактах. Запропоновані та досліджені системи металізації Au-TaNx(TiBx)-AuGe і Au-TiNx(TiBx) для омічних і бар'єрних контактів відповідно можуть стабільно працювати при температурах до 550° С без зміни електрофізичних параметрів. Використання таких контактів дозволяє створення напівпровідникових приладів підвищеної надійності. Проведено дослідження омічних контактів для гетероструктурних (GaAs-AlGaAs) польових транзисторів. Експериментально визначений критерій оптимальності технології і досліджена радіаційна стійкість таких контактів. Запропоновано методику контролю техпроцесу. Показано, що після впливу ?-радіації у діапазоні доз (2-3)·107 Р спостерігається поліпшення параметрів омічного контакту таких приладів.