Склярчук О. Ф. Особливості механізмів переносу заряду, фотоелектричних і люмінесцентних процесів у діодах Шотткі на SiC і CdTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U002054

Облікова картка дисертації

0405U002054.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-04-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджено механізми переносу заряду та фотоперетворення у поверхнево-бар'єрних структурах на CdTe і SiC. Запропоновано механізм фотостимульованого тунелювання з металу в зону провідності напівпровідника в Al-SiC діодах. Досліджено вперше спостережуване випромінювання при прямому зміщенні контакту напівпровідника з металом, яке кількісно описується в рамках запропонованої моделі непрямих внутрішньозонних переходів високоенергетичних електронів, інжектованих з напівпровідника в метал.

Читати повністю

Файли

АВТОРЕФЕРАТ.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах