Храмов Є. П. Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U002121

Облікова картка дисертації

0405U002121.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

04-05-2005

Спеціалізована вчена рада

К 41.052.03

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню електрофізичних явищ в елементах твердотільної електроніки при опроміненні, розробці методів підвищення радіаційної стійкості виробів мікроелектроніки. Показана перспективність методів вищих гармонік для дослідження складних дефектів. Побудовані модель кластерів радіаційних пошкоджень, модель явища вибухової кристалізації в кристалах під дією гама-квантів. Виявлено явище генерації інфрачервоного випромінювання в Si при опроиіненні. Обґрунтована методологія підвищення радіаційної стійкості елементів мікроелектроніки.

Читати повністю

Файли

Rozdil_1.doc

Rozdil_2.doc

Rozdil_3.doc

Rozdil_4.doc

Rozdil_5.doc

Titl.doc

aref.doc

literatura.doc

visnovki.doc

vstup.doc

zmist.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах