Скляр Т. В. Особливості енергетичного обміну штамів Neisseria gonorrhoeae з різною стійкістю до антибіотиків

Дисертація присвячена вивченню основних біологічних властивостей і енергетичних процесів, які відбуваються на мембрані гонококів. В роботі наведені результати основних параметрів росту штамів гонококів, вивчені основні фактори патогенності, визначені основні джерела конвертованої енергії досліджуваних штамів, вивчена генерація протонрушійної сили, визначені АТФазна активність і вміст внутрішньоклітинного АТФ. Підібраний оптимальний склад поживного середовища для культивування N. gonorrhoeae з 20%-м вмістом сироватки ВРХ і встановлено, що оптимальний розвиток досліджуваних штамів відбувається при рН = 6,8-6,9 і температурі - 36,5оС - 37,5оС. Показана залежність факторів патогенності у досліджуваних штамів гонококу від стійкості до антибіотиків. Вперше встановлено, що в клітинах досліджуваних штамів присутні два основних джерела конвертованої енергії: трансмембранна різниця електрохімічних потенціалів і внутрішньоклітинний пул АТФ. Показано, що наведення різниці електричних потенціалів або градієнту рН на мембрані гонококів індукує синтез АТФ, при утворенні іонних градієнтів. Вміст АТФ в клітинах гонокока знаходиться в межах від 0,053 до 0,064 мМ. Вперше визначена величина протонрушійної сили (183-192 мв) клітин N. gonorrhoeae і її складових: трансмембранної різниці електричних потенціалів (103-145 мв) і концентраційного градієнту протонів (80-47 мв). Трансмембранний електрофорез проникаючих іонів ТФФ+ і ФКБ- показав, що мембрани інтактних клітин і мембранних везикул гонокока містять три типи генераторів мембранного потенціалу: дихальний ланцюг, АТФазу і трансгидрогеназу. Вперше встановлено, що у досліджуваних штамів Neisseria gonorrhoeae, стійких до антибіотиків АТФазна активність у 2,0-2,5 рази вище, ніж у чутливих, що може свідчити про більш інтенсивніший енергетичний обмін у резистентних штамів.