Богословська А. Б. Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобар'єрних А3В5 - навіпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону

Досліджено вплив інжекційно-термічних процесів на фізичні параметри напівпровідникових ІЧ - випромінювачів на основі сполук GaInAs, InAsSbР, GaInAsSb. Встановлено взаємозв'язок теплових і рекомбінаційних процесів у випромінювачах ІЧ - діапазону. Експериментально встановлено та теоретично обґрунтовано підвищення ймовірності процесів оже-рекомбінації зі зростанням струмового перегріву активної області випромінювачів. Встановлено залежність температури струмового перегріву від величини енергетичних бар'єрів на гетерограниці в випромінювачах на основі одиночних і подвійних гетероструктур з активною GaInAsSb областю та від молярного складу активної області в випромінювачах на основі GaInAs. Досліджено процеси деградації основних функціональних параметрів випромінювачів ІЧ-діапазону в процесі тривалої роботи. Встановлено, що причиною аномальної деградації ІЧ-випромінювачів є конкуренція каналів лінійної рекомбінації через дві групи центрів (стабільні та нестабільні) при слабкій ефективності каналу оже-рекомбінації.