Мотущук В. В. Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових СdТe діодних структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U004449

Облікова картка дисертації

0405U004449.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-10-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Представлено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Досліджено механізми переносу заряду в тонкоплівкових Au-CdTe діодах Шотткі на металевій підкладинці та CdS/CdTe гетероструктур на скляній підкладинці. Сформульовано вимоги до електропровідності матеріалу фотоперетворювача. Досліджено спектри чутливості фотовольтаїчних структур на основі CdTe.

Читати повністю

Файли

Автореферат.doc

Дисертация Мотущук-Розд 2.doc

Дисертация Мотущук-Розд 1.doc

Дисертация Мотущук-Розд 3.doc

Дисертация Мотущук-Розд 4.doc

Дисертация Мотущук-Список викор л джерел.doc

Дисертация Мотущук-Список публ.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах