Бердичевський О. М. Ефекти вібронної взаємодії в багатокомпонентних галоїдних кристалах, активованих ртутеподібними іонами.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U004811

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-11-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена встановленню механізмів впливу ефектів вiбронних взаємодій на енергетичні рівні акти-ваторних іонів в багатокомпонентних галоїдних крис-талах, пошуку нових матеріалів, котрі можуть бути використані у якості модельних об'єктів для дослі-дження люмінесценції ртутеподібних центрів. Тонку структуру спектрів збудження фотолюмінесценції Mn2+-центрів в кристалах Rb2ZnI4 і Cs2ZnI4 проаналізо-вано з допомогою теорії Танабе-Сугано. Досліджено люмінесценцію АЛЕ в кристалі Rb2CdI4. Проведено вимірювання величини абсолютного квантового виходу кристалів Rb2ZnI4:In та Cs2ZnI4:Mn. Встановлено поло-ження смуг люмінесценції автолокалізованих екситонів в кристалах BaCl2 і LaI3. Досліджено особливості люмінесценції Pb2+- та Sn2+-центрів в кристалах BaCd2Cl6.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах