Тімохов Д. Ф. Структурні і люмінесцентні властивості поруватого кремнію, отриманого методом анодного електрохімічного травлення.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U000633

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-01-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Виявлено ефект впливу кристалографічної орієнтації кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію (ПК) в процесі анодизації. Розроблено напів'якісну теоретичну модель фоточутливості гетеропереходу ПК-(c-Si) на основі низькорозмірного ПК. Фотоелектричним ме-тодом визначено ширину забороненої зони, дифузійну дов-жину неосновних носіїв заряду і показана можливість визначення середнього діаметру квантових ниток. Можлива зміна механізму струмоперенесення із тунельного струму в термоактиваційний. Iнверсія знаку фото-ЕРС пояснено варізонністю ПК і наявністю гетеромежі ПК-(c-Si). Вияв-лено явище лавинного помноження носіїв заряду в ПК. Встановлено, що механізм ударної іонізації дифузійний і визначено її параметри. Встановлено механізм електро-люмінесценції в структурах ПК-?-(c-Si). Досліджено ос-новні характеристики електролюмінесценції.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах