Яганов П. О. Мікроелектронні перетворювачі на кремнієвій структурі з діелектричною ізоляцією

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U002092

Облікова картка дисертації

0406U002092.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

15-05-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 26.002.08

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Інститут енергозбереження та енергоменеджменту

Анотація

Дисертація присвячена розробці високочутливих інтегральних мікроелектронних сенсорів на кремнієвих структурах з діелектричною ізоляцією (КСДІ) і створенню на їх основі нових вимірювальних перетворювачів неелектричних величин (ВПНЕ) з широкими функціональними можливостями. Розроблена нова інтегральна багатосенсорна КСДІ, вивчені особливості її функціонування та метрологічні характеристики (МХ), на її основі створено нові ВПНЕ з широкими функціональними можливостями. Продовжено розвиток методів моделювання МХ сенсорів. Для високоточної апроксимації МХ використано регресійний аналіз та нейронні мережі.

Читати повністю

Файли

Avtoreferat_Yaganovt.doc

Dysertacija_Yaganov.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах